Wave Technology(WTI) | 半導体周辺回路とその応用製品の開発・設計会社

WTIは技術者不足を解決する「開発設計促進業」です

WTIの電波暗室がさらに使い易くなりました!

みなさん、こんにちは。
WTI社長の中野博文です。

WTIの社屋3階に電波暗室があるのをご存じですか?
機器のEMC(Electro Magnetic Compatibility:電磁両立性)対策には不可欠の施設ですが、評価機関の電波暗室の確保に苦労されている方も多いのではないでしょうか?

WTIの電波暗室なら、

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「パワー半導体」スイッチング評価の電流測定

みなさんこんにちは。
第二技術部の中松です。

今回は、パワー半導体(パワーデバイス単体やパワーモジュール)のスイッチング評価における電流測定について少しお話をしたいと思います。

パワー半導体のスイッチング評価に関するこれまでのブログは下記をご参照ください。

「パワー半導体」のスイッチング評価は難しい? ~その1~
「パワー半導体」のスイッチング評価は難しい? ~その2~

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サプライチェーンの複線化には開発設計の複線化を

みなさん、こんにちは。
WTI社長の中野博文です。

最近の各企業の業績見通しをみていると、昨年度に比べて大幅な改善傾向にあるものの、部材調達不足を主因とした減産などで景気回復の波に十分乗れていないように感じます。

コロナ影響や風水害による工場の稼働率低下や物流の寸断に加えて、米中貿易摩擦などが調達難の背景要因として挙げられており、しばらくはこのような状況が続くとともに、その先についても調達を取り巻く環境は大きく変化していくことが想定されます。

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表面実装型デバイスを使う高周波回路設計の注意点

高周波デバイス設計課の藤井です。

弊課は高周波デバイスの開発に携わっておりますが、今回は表面実装型のディスクリートデバイスを使う高周波回路を設計する際の注意点について、低雑音増幅器(LNA; Low Noise Amplifier)設計を例にお話しします。高周波(RF)・無線 設計受託はこちら

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デバイスモデリングとは

みなさん、こんにちは。高周波機器設計課の井上(侑)です。

私は主に業務用無線機に用いられる高周波電力増幅器のシミュレーション用のデバイスモデルを作成しています。単にデバイスモデリングとも言います。

高周波電力増幅器開発についてはこちら
解析シミュレーションについてはこちら

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温度変化によって発生する熱反り

みなさんこんにちは。第一技術部 構造設計課の大野です。

シミュレーション技術を活用した構造・応力解析(CAEサービス)を主なミッションとして、様々なお客様と仕事をさせていただいております。

前回(2020/10)のブログでは、構造・応力シミュレーションを利用する際に重要となる課題とゴム材料のシミュレーションについてお話ししました。 今回は各層の材料が異なる多層の構造体において、温度変化によって発生する熱反りに関してお話しします。

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クロック信号はエッジの波形品質に注意

みなさん、こんにちは。第一技術部の赤谷です。

デジタル制御ボードで稀に動作が不安定になったり、通信データが欠落するなどの問題を経験されたことがある方は結構多いのではないでしょうか?

この“稀に”と言うのが非常に厄介で、不具合事象を再現するだけでも大抵は苦労します。また、その不具合事象を捉えて、原因を分析し正しい対策を施すには、それなりの経験を要するものです。
(当社の電気設計受託サービスはコチラ

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高周波電力増幅器のメーカー推奨回路を変更したいとき(回路サイズの変更)

みなさん、こんにちは。システム設計課の尾崎です。

今回は高周波電力増幅器(特に大電力用)の推奨回路を変更するときに気を付ける項目について簡単にお話しします。(当社の高周波電力増幅器の開発実績はこちら

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USB充電器 RAVPower RP-112 vs cheero CHE-325 分解・回路・特性比較レポート

USB充電器 RAVPower RP-112 vs cheero CHE-325 分解・回路・特性比較レポート

USB急速充電器(60 Wクラス)分解・回路・特性比較レポート
 RAVPower RP-112 vs cheero CHE-325

USB急速充電器(60 Wクラス)分解・回路・特性比較レポート

近年、高出力化の進むUSB充電器において、次世代パワーデバイスのひとつであるGaN(窒化ガリウム)トランジスタを採用した製品が主流となりつつある。GaNトランジスタ内蔵のAC-DCコントローラICを採用し、61Wの出力で世界最小クラスを実現したRAVPower RP-112と、従来のSi(シリコン)トランジスタを採用し、同等出力の製品として販売しているcheero CHE-325をそれぞれ評価・分解・回路図化し、その違いを比較した。

一般に、GaNトランジスタを採用することでスイッチングロスが低減し、高効率化、低発熱化、小型化が可能と言われている。実際の製品で効率や温度上昇、ロードレギュレーションを比較することで、その実力差を確認した。また、スイッチング波形からデバイス動作を確認するなど、本報告書では、物理分解と特性の両面から2機種を比較した。

【内容】
分解比較:
回路(ブロック)比較、回路構成と価格の関係、実装面積、放熱機構、トランス・コイル外観とL値(フィルタ回路)
特性比較:
ロードレギュレーション、電力効率、筐体温度、スイッチングデバイスの温度、スイッチングデバイスのDS間波形

 

【 本レポートに含まれている項目 】  項目ごとの部分販売も承ります。(●印は実施項目)
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