みなさん、はじめまして。
パワー設計課の伊達です。
私は主にパワー半導体製品（パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品）の評価を行っています。
（パワーモジュール評価サービスはこちら）
今回は、パワー半導体のスイッチング評価を行う上での安全対策について少しお話しします。
続きを読むみなさん、はじめまして。
パワー設計課の伊達です。
私は主にパワー半導体製品（パワーMOSFET、IGBTのディスクリート品やモジュール品）の評価を行っています。
（パワーモジュール評価サービスはこちら）
今回は、パワー半導体のスイッチング評価を行う上での安全対策について少しお話しします。
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みなさん、はじめまして。
パワー設計課パワー設計第一ユニットの岡田です。どうぞよろしくお願いします。
パワー設計課では、さまざまなパワー半導体製品の開発に関わっています。
（パワーモジュール評価サービスはこちら）
パワー半導体は、さまざまな用途のスイッチング素子として使用されており、大きな電圧や電流を扱うのが特徴です(電圧では数100 Vから数kV程度まで、電流では数10Aから数100A程度まで)。
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こんにちは。構造設計課の瀬角です。
近年、電子機器は小型化や高機能化によって温度制限を満足する設計が厳しくなっており、熱トラブルが発生しやすくなっています。電子機器は推奨温度範囲外で動作させると誤作動や故障を引き起こすため、適切な熱設計を施す必要があります。
設計段階において、熱抵抗による温度予測は有用な手法です。しかし、「設計段階で熱抵抗を使って発熱部品温度を予測したものの、いざ試作品を動かしたら部品温度が予測と大きく乖離していた」という経験はありませんか。実は熱抵抗にはいくつかの種類があり、シチュエーションに応じた熱抵抗を選ぶ必要があります。
今回は、熱抵抗を用いた温度予測の注意点を紹介します。
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我々営業はお客様のお困りごとの解決に向けて、WTIのサービスを基に日々提案をさせていただいておりますが、その中でこんなお声をよく耳にいたします。
「WTIさんって評価だけでも依頼できるの？」
我々の周知不足を痛感すると共に新たなビジネスチャンスに胸躍らせる瞬間でもあります。
WTIは試作開発や要素検討段階において、お客様の開発をサポートする設計会社ではございますが、設計以外の業務委託も承っております。
その他にもシミュレーションによる解析やリバースエンジニアリングなど、設計業務に付随するサービスも展開しておりますので、今一度各種サービスをご高覧いただけますと幸いです。
その設計業務以外の新サービスとして力を注いでいるのが、今回紹介させていただく「WTIの受託評価サービス」になります。
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自動計測システムや受託評価サービス向けの環境構築、社内向けのツール開発など様々な領域の技術を担当しています。
近年、自動車の電動化をはじめ、産業機器、太陽光発電システム、電源機器など、様々な分野でSiCパワーデバイスの採用が急速に広がっています。SiCパワーデバイスは高速スイッチングや高温動作が可能で、低損失・高効率な電力変換を実現できるという大きな利点を持っています。一方で、従来のSiデバイスと比較して、ゲート酸化膜界面の品質に課題があり、熱的/電気的なストレスによって特性(主にゲートの閾値電圧VGSth)が変動することが知られています。弊社ではこのような課題に対する試験の一つとしてAC-BTI試験の受託サービス提供に向けた試験環境の構築をしております。
弊社環境では JEITA/JEDEC/ECPE の規格に準拠した試験の他に、高温環境での試験にも対応します。
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学生の頃よりも真面目に勉強しているのではないか、と勘ぐってしまうほどパワーエレクトロニクスの勉強中です。以前どこかで聞いた話によると、学生時代の勉強(受験勉強)は「わからないことを理解するためのプロセスを理解する」ために必要な経験だそうです。
勉強でもスポーツでも、何かしら困難に感じることを乗り換えてきた経験とは、非常に役に立ちます。現在勉強中のパワエレも、学生時代の経験がきっと役に立っているはずです。
半導体・電子部品・絶縁材料のリーク測でお困りでは？
微小電流評価は当社にご相談ください！●微小電流評価サービスとは
●微小電流評価サービス活用例
●微小電流評価の課題と当社特長
●お客様からのご要望が急増している評価サービス
微小電流評価は、パワー半導体の信頼性試験や絶縁材料のリーク電流測定などでニーズが高まっています。主にµA以下の電流測定を必要とするような場面で、ご依頼いただくサービスとなります。自動車、半導体、電子部品、材料メーカー様などからも多くのご依頼実績があります。
- 微小電流(数十pA～µA程度)を多チャンネルで常時モニタリング(測定)可能
- 高電圧印可時(～1000 V)の微小電流測定が可能
- 温度：-40 ℃～150 ℃、湿度：30～95 ％rhまで対応
上記電圧・電流・温度範囲外の場合にも対応いたしますのでお問い合わせください。
- 任意の温度・湿度環境で、多数を同時に測定
- コンデンサ部品や半導体製品のリーク電流測定
- 絶縁材料のリーク測定
- AEC-Q101、AQG-324に準拠した評価
（HTRB、HTGB、H3TRB）その他、微小電流に関してお気軽にお問い合わせください！
微小電流の評価では、温度や測定環境(ケーブルや測定ボード自体)によっても誤差が生じ、安定した測定が課題となります。また多数のサンプルを同時に試験するとなると、その測定はさらに難しいものになります。
当社では、独自で開発・構築した環境を用いて、精度の高い微小電流測定を実現しています。
ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご提供。 続きを読む
New!USB PD GaN搭載品4機種+Apple(A2518) 分解・特性比較レポート ★日経クロステックに本レポートの一部が連載されました！↓↓↓
［2023.05.08号］ 65W級GaN搭載USB充電器をガチ評価、総合1位は意外なメーカー
［2023.05.10号］ 65W級GaN USB充電器を4機種分解、各社各様の内部構造
［2023.05.12号］ 65W級GaN USB充電器の回路を分析、4製品の輻射ノイズも計測
近年ではUSB充電器のスイッチングデバイスに窒化ガリウム(GaN)が採用されることが増えている。GaNパワー半導体はSi半導体と比べスイッチングロスが少なく、効率や発熱の面で有利とされている。また、デバイスサイズに関してもGaNのほうが小型化できることが知られている。 続きを読む
5月8日の日経クロステック『気になるアレの「中身」に迫る！クロステック調査部』に、当社が調査を担当したGaNパワー半導体を搭載したUSB充電器の記事が、掲載されました。
今回の記事掲載にあたり、当社は、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を搭載した4台のUSB充電器（いずれも海外メーカー製）の内部構造の調査と充電器の性能評価を担当させていただきました。
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みなさん、こんにちは
パワーデバイス設計課の中松です。
今回のブログでは、ダイオードのせん頭サージ電流(IFSM)についてお話ししたいと思います。
IFSMは、図1のように商用周波数（50Hz or 60Hz）の正弦半波1サイクルでの最大許容電流値です。
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こんにちは。構造設計課の瀬角です。
みなさんこんにちは。WTI営業部 塩谷です。
こんにちは。カスタム技術課の川原です。
こんにちは。電源設計課の久保です。
