オンデマンド講座　パワーデバイスの基礎

講座概要

オンデマンド講座　パワーデバイスの基礎講座をご用意いたしました。
パワーエレクトロニクス技術分野の実務に従事する上で必要なパワーデバイスの基本機能と動作原理が学べます。
パワーMOSFET、IGBT、SiCデバイスの高耐圧の仕組みと動作原理、データシートの読み方のポイントをわかりやすくご説明いたします。
また、お客様のご要望に応じて受講コースを選択できるよう全単元の講座以外に、テーマ別に受講できるテーマ別講座や単元別講座もご用意しました。

単元	全単元講座	テーマ別講座		単元別講座
		半導体の動作原理	MOSFETとIGBT	ダイオード	MOSFETとIGBTの基本機能	MOSFETとIGBTの諸特性	SiCデバイス
1.パワーデバイスの概要	〇	〇	〇	〇	〇	〇	〇
2.ダイオード	〇	〇		〇
3.MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理	〇	〇	〇		〇
4.パワーMOSFETとIGBTの諸特性	〇		〇			〇
5.SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点	〇	〇					〇
受講料（税抜）	￥50,000	￥36,000	￥36,000	￥15,000	￥15,000	￥30,000	￥15,000

 

受講対象

• パワーエレクトロニクス技術の基礎を学びたい方
• パワーデバイス（ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCデバイス）の基礎を学びたい方

 

WTIのパワーデバイスの基礎講座のメリット

＜メリット1＞　
講座内で復習でき、理解が深まります
WTIのパワーデバイスの基礎講座では、ポイントとなる箇所ごとの演習問題と単元ごとの確認テストをご用意しており、その場で解答を解説いたします。
講座で学んだ内容をその場で復習いただけますので、理解が深まります。

 

＜メリット2＞　
データシートのポイントが理解できる
パワーエレクトロニクス回路を設計するに際して、キーデバイスであるパワーデバイスを選定するにはデータシートから性能や特性を読み解く必要があります。
本講座ではパワーデバイスのデータシートの内容を解説し、主要特性項目の意味をわかりやすく説明いたします。
（対象単元：4.パワーMOSFETとIGBTの諸特性）

 

＜メリット３＞　
パワーデバイスの構造・動作が理解できる
パワーデバイスの高耐圧のしくみ、縦構造、動作原理をわかりやすく解説いたします。
文献を読んで理解しにくい方にとっても、パワーデバイスの構造と動作が理解できる内容となっております。
（対象単元：3.MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理）

 

 

各コースのご案内

 

パワーデバイスの基礎　全単元講座

講座概要

パワーデバイスの動作原理から諸特性・データシートの読み方が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に30日間です

受講料（税抜）

￥50,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
2.　ダイオード
　2.1　ダイオードの種類
　2.2　ダイオードの構造と特性
　　(1)PN/PINダイオード
　　(2)ショットキーバリアダイオード
　　　＜確認テスト＞
3.　MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
　3.1　低耐圧型MOSFETの動作原理
　3.2　高耐圧型パワーデバイスの動作原理
　　(1)プレーナゲート型MOSFET
　　(2)トレンチゲート型MOSFET
　　(3)IGBT
　　　＜確認テスト＞
4.　パワーMOSFETとIGBTの諸特性
　4.1　パワーMOSFETの諸特性
　　(1)データシート主要項目
　　(2)駆動回路
　4.2　IGBTの諸特性
　　(1)データシート主要項目
　　(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
　　　＜確認テスト＞
5.　SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
　　(1)SiCの物性
　　(2)SiCショットキーバリアダイオード
　　(3)SiC MOSFET
　　　＜確認テスト＞

 

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎全単元受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

パワーデバイスの基礎　テーマ別講座　半導体の動作原理

講座概要

ダイオード、MOSFET、IGBT、SiCと半導体の基本機能と動作原理が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に14日間です。

受講料（税抜）

￥36,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
2.　ダイオード
　2.1　ダイオードの種類
　2.2　ダイオードの構造と特性
　　(1)PN/PINダイオード
　　(2)ショットキーバリアダイオード
　　　＜確認テスト＞
3.　MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
　3.1　低耐圧型MOSFETの動作原理
　3.2　高耐圧型パワーデバイスの動作原理
　　(1)プレーナゲート型MOSFET
　　(2)トレンチゲート型MOSFET
　　(3)IGBT
　　　＜確認テスト＞
5.　SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
　　(1)SiCの物性
　　(2)SiCショットキーバリアダイオード
　　(3)SiC MOSFET
　　　＜確認テスト＞

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎テーマ別講座　半導体の動作原理受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

パワーデバイスの基礎　テーマ別講座　MOSFETとIGBT

講座概要

MOSFETとIGBTの基本機能と動作原理、諸特性とデータシートの読み方が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に14日間です。

受講料（税抜）

￥36,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
3.　MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
　3.1　低耐圧型MOSFETの動作原理
　3.2　高耐圧型パワーデバイスの動作原理
　　(1)プレーナゲート型MOSFET
　　(2)トレンチゲート型MOSFET
　　(3)IGBT
　　　＜確認テスト＞
4.　パワーMOSFETとIGBTの諸特性
　4.1　パワーMOSFETの諸特性
　　(1)データシート主要項目
　　(2)駆動回路
　4.2　IGBTの諸特性
　　(1)データシート主要項目
　　(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
　　　＜確認テスト＞

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎テーマ別講座　MOSFETとIGBT受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

パワーデバイスの基礎　単元別講座　ダイオード

講座概要

ダイオードの構造と特性が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。

受講料（税抜）

￥15,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
2.　ダイオード
　2.1　ダイオードの種類
　2.2　ダイオードの構造と特性
　　(1)PN/PINダイオード
　　(2)ショットキーバリアダイオード
　　　＜確認テスト＞

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎単元別講座 ダイオード受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

パワーデバイスの基礎　単元別講座　MOSFETとIGBTの基本機能

講座概要

MOSFETとIGBTの動作原理が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。

受講料（税抜）

￥15,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
3.　MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理
　3.1　低耐圧型MOSFETの動作原理
　3.2　高耐圧型パワーデバイスの動作原理
　　(1)プレーナゲート型MOSFET
　　(2)トレンチゲート型MOSFET
　　(3)IGBT
　　　＜確認テスト＞

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎単元別講座 MOSFETとIGBTの基本機能受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

パワーデバイスの基礎　単元別講座　MOSFETとIGBTの諸特性

講座概要

MOSFETとIGBTの諸特性・データシートの読み方が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。

受講料（税抜）

￥30,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
4.　パワーMOSFETとIGBTの諸特性
　4.1　パワーMOSFETの諸特性
　　(1)データシート主要項目
　　(2)駆動回路
　4.2　IGBTの諸特性
　　(1)データシート主要項目
　　(2)パワーMOSFETとIGBTの比較
　　　＜確認テスト＞

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎単元別講座 MOSFETとIGBTの諸特性受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

パワーデバイスの基礎　単元別講座　SiCデバイス

講座概要

SiCデバイスの動作原理が学べます。

講座受講可能期間

お申込み後、IDをご連絡します。

• ＩＤをお受け取りになった時点から受講可能です。
• 受講可能期間は、IDをメールでご連絡した日の翌日を起点に7日間です。

受講料（税抜）

￥15,000

プログラム

1.　パワーデバイスの概要
5.　SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点
　　(1)SiCの物性
　　(2)SiCショットキーバリアダイオード
　　(3)SiC MOSFET
　　　＜確認テスト＞

お申込みはお問い合わせフォームからお願いいたします。 「お問い合わせ項目」は「その他」を選択、 「お問い合わせ内容」に「オンデマンド講座 パワーデバイスの基礎単元別講座 SiCデバイス受講希望」とご記入をお願いいたします。

 

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