Wave Technology(WTI) | 半導体周辺回路とその応用製品の開発・設計会社

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#089 EMI対策 ~ 並列素子のSパラメータ(インダクタ編)~

#083 EMI対策 ~ Sパラメータ その2 ~)より以下の式から、並列素子のSパラメータを求めます。

 

 

 

2端子対回路に並列素子インピーダンスZpを実装すると下のような回路図になります。

 

 

 

この回路図のPort 1からみた時のインピーダンスZ1はどのように表現できるかの?

Port 1からみた時のインピーダンスZ1は、並列素子インピーダンスZpと負荷ZOの並列合成インピーダンスが見えます。なのでS11は以下のように表現できますね。

 

 

 

よろしい。
ではS21はどうなるかの?

V1V2は並列素子インピーダンスZpと負荷ZOとの並列合成インピーダンスとI1の積で求まるので以下のように表現できます。

 

 

 

下の2端子回路からS22S12も同じように求めればよい、Port2からPort1側を見ると、Z2も同じように並列素子Zpと負荷ZOの並列接続なので、S11=S22S21=S12が成立する。

 
 
 

つぎにZpにインダクタLを入れたときのS11S21を求めてみよう。
S22S12は、S11S21と同じなので省略しよう。

 
 
 

Zp = jωL なので、以下のような式になりました。

 

 

 

よろしい、続きは次回にしよう。

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