Wave Technology(WTI) | 半導体周辺回路とその応用製品の開発・設計会社

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#083 EMI対策 ~Sパラメータ その2~

#082 EMI対策 ~ Sパラメータ その1 ~ に続いて、今回もSパラメータです。

左の図より、Port 1から2端子対回路を見たときの進行波電圧Vf1・電流If1と反射波電圧Vr1・電流Ir1と、Port 2から2端子対回路を見たときの進行波電圧Vf2・電流If2と反射波電圧Vr2・電流Ir2を書き込んだものを右図に示す。

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#082 EMI対策 ~Sパラメータ その1~

#047 EMI対策 ~フィルタ(インダクタ その1)~ から#053 EMI対策 ~フィルタ(キャパシタ その2)~では、主にインダクタとキャパシタの特徴を学びました。そこからなみりんは、インダクタやキャパシタを道具として使いこなしたいと考えているようです。

昇平博士、伝送線路に希望周波数の信号を通して、不要帯域のノイズを遮断する回路を考えているんですが、インダクタやキャパシタの定数はどうやって決めれば良いでしょうか。

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#079 EMI対策 ~π型アッテネータ~

今回はπ型アッテネータのお話です。

前回まではT型アッテネータの話をした。今回はπ型アッテネータの話をしよう。
複雑な回路に見えるが、オームの法則だけで説明ができる。
考え方の基本は、T型アッテネータと同じように考えるのじゃ。まずは基本形を示そう。

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#077 EMI対策 ~T型アッテネータ~

今回はT型アッテネータのお話です。

前回(#076 EMI対策 ~抵抗減衰器(アッテネータ)~)は信号源出力から見た インピーダンスZOを式で表現するところまで説明した。
T型アッテネータは以下のような構成になり、信号源の出力インピーダンスと負荷インピーダンスをZOとし、さらに信号源出力から見たインピーダンスもZOに見えるようにR1とR2を決めるのじゃったな。

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#071 EMI対策 ~キャパシタの共振5~

#69に引き続いて、キャパシタの共振のお話です。
今回は2つのキャパシタのESLについて検討します。

最初に、反共振周波数のインピーダンスを下げるために0.1μFのESLを振ってみよう。
●検討3
キャパシタの定数を0.1μFと100pFに設定する。
0.1μFのESR1は0.02Ω、100pFのESR2は0.1Ωに固定する。
100pFのESL2は0.3nHに固定し、0.1μFのESL1を振ってみよう。

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