AEC-Q101、AQG-324規格に対応した受託評価サービスが新登場！！
みなさんこんにちは。WTI営業部 塩谷です。
我々営業はお客様のお困りごとの解決に向けて、WTIのサービスを基に日々提案をさせていただいておりますが、その中でこんなお声をよく耳にいたします。
「WTIさんって評価だけでも依頼できるの？」
我々の周知不足を痛感すると共に新たなビジネスチャンスに胸躍らせる瞬間でもあります。
WTIは試作開発や要素検討段階において、お客様の開発をサポートする設計会社ではございますが、設計以外の業務委託も承っております。
その他にもシミュレーションによる解析やリバースエンジニアリングなど、設計業務に付随するサービスも展開しておりますので、今一度各種サービスをご高覧いただけますと幸いです。
その設計業務以外の新サービスとして力を注いでいるのが、今回紹介させていただく「WTIの受託評価サービス」になります。
みなさんこんにちは。WTI営業部 塩谷です。
AEC-Q101、AQG-324準拠試験に対応したWTIの受託評価サービスとは
設計会社であるWTIだからこそ実現できる規格対応の信頼性試験
半導体をはじめとする各種電子部品や電気製品の、電気的特性、温度特性、その他動作特性といった各種評価試験を、お客様に代わって実施するサービスとなります。
お客様からご依頼いただいた評価を完了後、評価結果をまとめたレポートを提出いたします。評価環境の設計開発を伴う受託評価
- 自動評価環境の構築
- 評価用基板の回路/基板設計・製作
- 計測評価用ソフトウェアの開発
（PCベースの開発からリアルタイム性を必要とする組み込みベースの開発まで）- 測定対象製品へのプロービングや、治具の設計・製作
環境試験槽と連動した評価及び信頼性試験
温度特性評価、信頼性評価などパワーデバイスを含む車載電子部品の信頼性関連評価
（AEC-Q101、AQG-324準拠試験への対応）WTIが設計会社であるからこそ、評価に必要な環境（評価用基板の回路設計や基板設計、製作、計測評価用ソフトウェアの開発）を自前で準備することが可能です。
自社の設備では試験条件である電圧や電流条件が満たせないといったお悩みにも、WTIのエンジニアが評価環境の構築から提案させていただきます。
AEC-Q101、AQG-324規格対応試験をWTIに委託するメリット
- 評価環境はWTIにて準備および構築をさせてできますので、お客様は評価サンプルをご準備いただくだけで信頼性試験やご所望の評価を開始することが可能です。
電気系の専門知識がなくても評価したい内容やイメージをお伝えいただければ、評価方法や評価項目をWTIが立案いたします。- 評価業務をWTIに委託いただくことで、お客様は開発業務に注力していただけます。
※開発設計を主力としているWTIでは、「設計者目線」で評価結果を分析いたします。
WTIが保有する計測に特化したハードウェア/ソフトウェアのプラットフォームを活用し、最適な評価環境を構築いたします。- その他、具体的なアイデアをお持ちでなくても、ご所望の内容をお申し付けいただければ、お客様の課題解決に向けたアイデアを提案いたします。
需要が高い信頼性試験・評価サービス（AEC-Q101およびAQG-324関連）
最近特にご照会が増えている評価サービスは下記になります。
■ダイオード、MOSFET、IGBTの各種パワーデバイス、及びパワーモジュールの静特性、スイッチング特性をはじめ、さまざまな評価サービスをご用意しております。 ■JEITA-ED-4701/601,602,603や、AEC- Q101等で規格化されているショートパワーサイクル、ロングパワーサイクル等の試験に対応しております。 ■AEC-Q101およびAQG-324に準拠した信頼性に関する受託評価サービスです。半導体に関する知見に加え、長年培ってきた計測評価技術を活用しております。
■半導体・電子部品・絶縁材料のリーク電流測定など、微小電流測定に関する受託評価サービスです。
μA以下の電流測定を必要とするようなご要望に対応しております。■測定環境構築も含めて、超低抵抗（微小抵抗）測定や温度特性などを行う受託評価サービスです。
mΩ以下（μΩやnΩ）クラスの評価に対応しております。
AEC-Q101およびAQG-324の規格対応試験はWTIにお任せあれ
規格対応が必要な信頼性試験はWTIにお任せを
WTIが設計会社であることの強みを生かして、ご所望の試験条件に合わせて、評価環境を構築（設計）するところからサポートさせていただきますので、リソース不足や評価環境のキャパ不足でお悩みのお客様はぜひ一度、WTIの営業担当までお申し付けいただけますと幸いです。
最後にWTIの信頼性試験サービスの事例一覧表を紹介させていただき、本稿を締めさせていただきます。
試験名 ゲートスイッチング試験
（DGS）ゲートしきい値電圧変動試験
（PBTI,NBTI,AC-BTI）ボディダイオード通電試験（dyn.HTFB） 目的 ゲート酸化膜の信頼性 ゲートしきい値電圧の変動 ボディダイオードの通電劣化 内容 高速に動作させた場合や高電圧で動作させた場合のゲート酸化膜の劣化を確認する。 PBTI試験（＋VGS）、NBTI試験（-VGS）、AC-BTI試験（±VGS）があり、しきい値電圧の変動を確認する。 ボディダイオードに順方向電流を流し続けることにより、チップの欠陥が拡張してVFが上昇するモードを確認する。 試験条件例 Vgs＝15V/-5V dV/dt=1V/ns － 2 μs / pulse 20 kHz 規格 AQG-324
Dynamic gate stress(DGS)JEITA EDR 4713
(PBTI、NBTI）
JEITA EDR-4713-1 附属書 E（AC-BTI）AQG-324
dynamic high temperature forward bias (HTFB)
JEITA EDR-4713
SiC MOSFETボディダイオード通電によるオン電圧変動試験試験名 ｄV/dt 試験
（DRB,dyn.H3TRB)連続動作試験 高温逆バイアス試験
（HTRB,HTGB ,H3TRB）目的 dV/dt耐量 通電、熱成立性確認等 バイアス印加による特性劣化 内容 高いdV/dt条件により容量CDSを通して過渡電流が流れ寄生Trの動作による破壊モードを確認する。 インバータなどシステムで評価する代わりに、Hブリッジ回路を構成して規定の周波数で連続動作試験を実施する。 各条件下でバイアス印加による特性劣化を確認する。 試験条件例 Vds = 600V dV /dt =～150 V / ns － － 規格 AQG-324
Dynamic reverse bias(DRB)
Dynamic high-humidity,high-
temperature reverse bias (dyn.H3TRB)－ AEC-Q101、AQG-324
High-temperature reverse bias (HTRB)
High-temperature gate bias (HTGB)
High-humidity, high-temperature reverse bias
(H3TRB)
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- DGS試験とは？ ～次世代パワー半導体（SiC）のストレス試験～
- 「パワー半導体」の信頼性試験について
- 信頼性試験について知ろう！（パワーサイクル試験編）
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＜WTIの採用ページは下記をご参照ください＞
